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碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs)的晶体结构及其半导体性质的...
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发布时间：2021-03-25
陈震 王如骥 【摘要】：用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果表明,在常温(200℃)下均为稳定的化合物.光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe_3,RbHgSbSe_3,CsHgSbSe_3的禁带宽度依次为1.85eV,1.75eV,1.65eV.
2000年3月1日【摘要】:用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果...金属硒化物 晶体结构 无机多聚物 有机溶剂热生长技术金属硒化物 晶体结构 无机多聚物 有机溶剂热生长技术碱金属硒化物MHgSbSe
2000年3月1日【摘要】:用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果...金属硒化物 晶体结构 无机多聚物 有机溶剂热生长技术金属硒化物 晶体结构 无机多聚物 有机溶剂热生长技术碱金属硒化物MHgSbSe
本文链接： http://mhgs.immuno-online.com/view-735472.html
发布于 ： 2021-03-25
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